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XRF差不多的原理
  • 发布日期:2011-09-26     信息来源:      浏览次数:6472
    •  

      的基本原理
      (XRF)仪器由激发源(X射线管)和探测系统构成。X射线管产生入射X 射线(一次射线),激励被测样品。样品中的每一种元素会放射出的二次X射线,并且不同的元素所放出的二次射线具有特定的能量特性。探测系统测量这些放射出来的二次射线的能量及数量。然后,仪器软件将控测系统所收集的信息转换成样品中的各种元素的种类及含量。利用X射线荧光原理,理论上可以测量元素周期表中的每一种元素。在实际应用中,有效的元素测量范围为11号元素(钠Na)到92号元素(铀U)。

      XRF的筛分
      X射线荧光光谱仪是公认的RoHS筛选检测仪器,由于其检测速度快、分辨率高、实施无损检测,所以被广泛采用。X线荧光光谱仪品牌繁多,以至于分不出谁好谁差了。在《电子信息产品有毒有害物质的检测方法》IEC62321标准文本里提到:“用能量散射X射线荧光光谱法(ED-XRF)或波长散射X射线荧光光谱法(WD-XRF)对试样中目标物进行测试,可以是直接测量样品(不破坏样品),也可以是破坏样品使其达到”均匀材料”(机械破坏试样)后测试。”能真正准确无误地将试样筛选出合格、不合格、不确定三种类型,而且能zui大限度地缩小“不确定”部分就是好仪器。在保证既定准确度的情况下尽可能快速检测。尤其是企业选购,光谱仪是做日常RoHS监督检测用,非常看重这一点。所以,能够准确无误地将试样筛选出合格、不合格、不确定三种类型,又能zui大限度地缩小“不确定”部分,而且全部过程是在极短的时间内完成的X射线荧光光谱仪是满足使用要求的光谱仪。

      稳定性
      性能无疑是评估光谱仪非常重要的指针性能优异的光谱仪做筛选检测能准确无误地排查合格和不合格,并将不确定的灰色部分压缩到zui小;
      有的光谱仪铅砷不分、镉的特征谱线与X光管铑电极的特征谱线重迭等。经常误判;
      有的光谱仪检测镉的灵敏度不够高,不能准确判定镉;
      大部分光谱仪的检测稳定性受到X光管老化、环境温度、电源波动等影响,使数值不准。
      由于性能不足,可能发生错判、误判、无法判定等事件频发,不确定的灰色部分比例大增。其后果必然是成本显著提高、风险增加。

      关键性能参数

      1
      ) X光管的电极的材料的材料
      目前X线荧光光谱仪基本上采用铑靶X光管,有钨靶X光管的。
      A.铑(Rh)靶:铑的特征谱线与镉的特征谱线重迭;测试需要滤波器。
      B.钨(W)靶:钨的特征谱线与铅,汞的特征光谱重迭,但发射强度高。

      2
      )探测器

      A
      .SDD:
      新款的SDD判断器属高纯硅判断器,判别率可跟Si-Li判断器差不,因此不要有液氮制冷机,但不经济性处理性没有好。是在高纯n型硅片的x射线入射面光催化原理一总面积不规则的pn变化结,在别的一边的中心光催化原理某个斑点状的n型阳极,在阳极的周边是大多共同的p型漂移参比参比电极片。在岗位时,自动化元配件两头的pn结打上去反相交流电压,若想在自动化元配件胃中有了某个势阱(对自动化)。在漂移参比参比电极片加上某个电势差差会在自动化元配件内有了一横着磁场,它将使势阱弯曲变形若想逼迫入射扩散有了的信息自动化在磁场角色下先向阳光极漂移,抵达阳极(读出参比参比电极片)随近才有了信息。硅漂移探测器器的阳极很低以至于电阻很低,还它的漏电压也很低,但是工程用电荷敏锐前置条件放小器可低噪音、迅猛地读出自动化信息。是Si-PIN判断器的换代车辆。

      B
      .SSD:
      SSD论文测试仪属硅锂论文测试仪,辨别率及论文测试机灵度就越高。安稳性好,仅是要求液氮冷确。硅(锂)[ Si(Li)]侦测器,也叫硅锂漂移侦测器。是在P型硅漆层减压蒸馏二层不锈钢锂并吸附造成PN结,以后在反方向交流电压和合适的体温下使锂阴铝铁阳离子在硅水分子彼此漂移入硅中,可能锂阴铝铁阳离子很最易吸纳个自主电子元器件而一举成名,最终得以与硅中的P型(受主)沉渣控制征收土地赔偿而造成高阻的本征层(侦测器的机灵区)。硅(锂)侦测器的结构特征是机灵层板材的厚度能否做得相当的大(3-10mm),以致侦测器电阻也十分小,侦测率高,仅是必需在液氮冷确下存为(鉴于在常温下锂阴铝铁阳离子的挪动效果已不疏忽了,而锂阴铝铁阳离子的挪动会摧毁在制取硅(锂)侦测器时提升的精细征收土地赔偿。是硅(锂)侦测器存为当时也要求在液氮体温的从来的因素。本来都有沒有的因素)和工作任务。

      C
      .Si-PIN:

      老的PIN监测器签别率差,维持力差,只是对检测巨资属的灵巧度太少高。PIN监测器是具备着PIN节构的(表中间层实际情况的上是高阻的全枯竭层,其载流子越来越多,与本征层和绝缘电阻体层有有些相似优点)适用监测光和电子束的监测功率器件。硅PIN监测器温度下的漏直流电在纳安(nA)数目级,比其下一代名将的硅面垒监测器要小差得少3数为目级,是硅面垒监测器的换代货品,只是PIN监测器的电容(电容器)始终和面垒监测器这样,随监测器规模的扩增而正比扩增,这导至监测器背景噪声也是偏大,还挤压成型时光常数不是太少以至于数值率不是高。💯这是PIN监测器往往在技巧上另外在耐热性上也必须比硅漂移监测器差一共整整一代名将的愿意。

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